IPP08CN10L G
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
通道数 1
漏源极电阻 8 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 167 W
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 8610pF @50VVds
下降时间 7 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 167W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 15.65 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IPP08CN10L G | Infineon 英飞凌 | MOSFET N-CH 100V 98A TO220-3 | 搜索库存 |