IPI04CN10N G
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
极性 N-Channel
耗散功率 300W Tc
漏源极电压Vds 100 V
输入电容Ciss 13800pF @50VVds
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
封装 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
IPI04CN10N G | Infineon 英飞凌 | MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3 | 搜索库存 |