IPD031N03M G
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPD031N03M G中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 -
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 5300pF @15VVds
下降时间 5 ns
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IPD031N03M G引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| IPD031N03M G | Infineon 英飞凌 | Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3Pin2+Tab TO-252 | 搜索库存 |