IPB80N06S3L-06
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPB80N06S3L-06中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 55.0 V
额定电流 80.0 A
通道数 1
漏源极电阻 5.6 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 136 W
输入电容 9.42 nF
栅电荷 196 nC
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
上升时间 43 ns
输入电容Ciss 9417pF @25VVds
额定功率Max 136 W
下降时间 39 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 136W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IPB80N06S3L-06引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPB80N06S3L-06 | Infineon 英飞凌 | 的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-Transistor | 搜索库存 |
替代型号IPB80N06S3L-06
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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