IPP070N08N3 G
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPP070N08N3 G中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 136W Tc
漏源极电压Vds 80 V
输入电容Ciss 3840pF @40VVds
耗散功率Max 136W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IPP070N08N3 G引脚图与封装图
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在线购买IPP070N08N3 G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPP070N08N3 G | Infineon 英飞凌 | MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3 | 搜索库存 |
替代型号IPP070N08N3 G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPP070N08N3 G 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-220-3 | 当前型号 | MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3 | 当前型号 |
| 型号： IPP057N08N3GXKSA1 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 80V 80A | 类似代替 | INFINEON IPP057N08N3GXKSA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 80 V, 4.9 mohm, 10 V, 2.8 V | IPP070N08N3 G和IPP057N08N3GXKSA1的区别 |
| 型号： IPP100N08N3GXKSA1 品牌： 英飞凌 封装： TO-220 N-Channel 80V 70A | 类似代替 | Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP100N08N3GXKSA1, 70 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装 | IPP070N08N3 G和IPP100N08N3GXKSA1的区别 |