IPB05CN10N G
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
通道数 1
漏源极电阻 5.4 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
上升时间 42 ns
输入电容Ciss 12000pF @50VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 21 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IPB05CN10N G | Infineon 英飞凌 | MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 | 搜索库存 |