IPP05CN10L G
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPP05CN10L G中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 5.1 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
上升时间 288 ns
输入电容Ciss 15600pF @50VVds
下降时间 37 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 15.65 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IPP05CN10L G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IPP05CN10L G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPP05CN10L G | Infineon 英飞凌 | MOSFET Discrete Semiconductor Products MOSFETs, GaNFETs - Single - MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 | 搜索库存 |