IPI80CN10N G

Infineon(英飞凌) 分立器件

MOSFET N-CH 100V 13A TO262-3

N-Channel 100V 13A Tc 31W Tc Through Hole PG-TO262-3

得捷:
MOSFET N-CH 100V 13A TO262-3

贸泽:
MOSFET N-Ch 100V 13A I2PAK-3

IPI80CN10N G中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 80 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 31 W

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

上升时间 4 ns

输入电容Ciss 716pF @50VVds

下降时间 3 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 31W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.2 mm

宽度 4.5 mm

高度 9.45 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPI80CN10N G引脚图与封装图

暂无图片

在线购买IPI80CN10N G

型号	制造商	描述	购买
IPI80CN10N G	Infineon 英飞凌	MOSFET N-CH 100V 13A TO262-3	搜索库存