IPD16CNE8N G

Infineon(英飞凌) 分立器件

MOSFET N-CH 85V 53A TO252-3

N-Channel 85V 53A Tc 100W Tc Surface Mount PG-TO252-3

得捷:
MOSFET N-CH 85V 53A TO252-3

Win Source:
MOSFET N-CH 85V 53A TO252-3

IPD16CNE8N G中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 100W Tc

漏源极电压Vds 85 V

输入电容Ciss 3230pF @40VVds

耗散功率Max 100W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPD16CNE8N G引脚图与封装图

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