IPU050N03L G

Infineon(英飞凌) 分立器件

MOSFET N-CH 30V 50A IPAK

N-Channel 30V 50A Tc 68W Tc Through Hole PG-TO251-3

得捷:
MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3

贸泽:
MOSFET N-Ch 30V 50A IPAK-3

Win Source:
MOSFET N-CH 30V 50A IPAK

IPU050N03L G中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 5 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 68 W

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

上升时间 13 ns

输入电容Ciss 3200pF @15VVds

下降时间 3.8 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 68W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 2.38 mm

高度 6.22 mm

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPU050N03L G引脚图与封装图

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