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IPB26CNE8N G

IPB26CNE8N G

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

MOSFET N-CH 85V 35A TO263-3

表面贴装型 N 通道 35A（Tc） 71W（Tc） D²PAK（TO-263AB）


得捷:
MOSFET N-CH 85V 35A D2PAK


Win Source:
MOSFET N-CH 85V 35A TO263-3


IPB26CNE8N G中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 71W Tc

漏源极电压Vds 85 V

输入电容Ciss 2070pF @40VVds

耗散功率Max 71W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPB26CNE8N G引脚图与封装图
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