IPI12CNE8N G
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPI12CNE8N G中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 125W Tc
漏源极电压Vds 85 V
上升时间 21 ns
输入电容Ciss 4340pF @40VVds
下降时间 8 ns
耗散功率Max 125W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
外形尺寸
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IPI12CNE8N G引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| IPI12CNE8N G | Infineon 英飞凌 | MOSFET N-CH 85V 67A TO262-3 | 搜索库存 |