IPB05N03LB G
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPB05N03LB G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 80.0 A
通道数 1
漏源极电阻 7.6 mΩ
耗散功率 94 W
输入电容 3.21 nF
栅电荷 25.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 3209pF @15VVds
额定功率Max 94 W
下降时间 4.2 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 94W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IPB05N03LB G引脚图与封装图
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在线购买IPB05N03LB G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPB05N03LB G | Infineon 英飞凌 | MOSFET N-CH 30V 80A TO-263 | 搜索库存 |
替代型号IPB05N03LB G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPB05N03LB G 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-263 30V 80A 3.21nF | 当前型号 | MOSFET N-CH 30V 80A TO-263 | 当前型号 |
| 型号： IPB055N03LGATMA1 品牌： 英飞凌 封装： TO-263-3 N-Channel 30V 50A | 类似代替 | Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB055N03LGATMA1, 50 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装 | IPB05N03LB G和IPB055N03LGATMA1的区别 |