IPB04N03LB
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPB04N03LB中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 80.0 A
极性 N-CH
耗散功率 107W Tc
输入电容 3.88 nF
栅电荷 32.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
输入电容Ciss 5203pF @15VVds
额定功率Max 107 W
耗散功率Max 107W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IPB04N03LB引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IPB04N03LB
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPB04N03LB | Infineon 英飞凌 | OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor | 搜索库存 |
替代型号IPB04N03LB
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPB04N03LB 品牌： Infineon 英飞凌 封装： D2PAK N-CH 25V 80A 3.88nF | 当前型号 | OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor | 当前型号 |
| 型号： IPB042N03L G 品牌： 英飞凌 封装： TO-263 N-Channel | 类似代替 | INFINEON IPB042N03L G 晶体管, MOSFET, N沟道, 70 A, 30 V, 3.5 mohm, 10 V, 1 V | IPB04N03LB和IPB042N03L G的区别 |
| 型号： IPB034N03LG 品牌： 英飞凌 封装： TO-263-3 | 类似代替 | OptiMOSâ ?? ¢ 3功率三极管 OptiMOSâ¢3 Power-Transistor | IPB04N03LB和IPB034N03LG的区别 |
| 型号： IPB034N03LGATMA1 品牌： 英飞凌 封装： TO-263 N-Channel 30V 80A | 功能相似 | INFINEON IPB034N03LGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 2.8 mohm, 10 V, 1 V | IPB04N03LB和IPB034N03LGATMA1的区别 |