IPB25N06S3L-22

Infineon(英飞凌) 分立器件

OptiMOS㈢ -T电源晶体管 OptiMOS㈢-T Power-Transistor

表面贴装型 N 通道 25A（Tc） 50W（Tc） PG-TO263-3-2

得捷:
MOSFET N-CH 55V 25A TO263-3

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 25A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK

Win Source:
MOSFET N-CH 55V 25A D2PAK

IPB25N06S3L-22中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 55.0 V

额定电流 25.0 A

极性 N-CH

耗散功率 50W Tc

输入电容 2.26 nF

栅电荷 47.0 nC

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 25.0 A

上升时间 26 ns

输入电容Ciss 2260pF @25VVds

下降时间 43 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 50W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3-2

外形尺寸

封装 TO-263-3-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPB25N06S3L-22引脚图与封装图

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