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IPB25N06S3-25

IPB25N06S3-25

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-Transistor

表面贴装型 N 通道 25A(Tc) 48W(Tc) PG-TO263-3-2


得捷:
MOSFET N-CH 55V 25A TO263-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 25A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK


Win Source:
MOSFET N-CH 55V 25A D2PAK


IPB25N06S3-25中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 55.0 V

额定电流 25.0 A

极性 N-CH

耗散功率 48W Tc

输入电容 1.86 nF

栅电荷 41.0 nC

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 25.0 A

上升时间 27 ns

输入电容Ciss 1862pF @25VVds

下降时间 27 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 48W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3-2

外形尺寸

封装 TO-263-3-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPB25N06S3-25引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPB25N06S3-25 Infineon 英飞凌 的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-Transistor 搜索库存
替代型号IPB25N06S3-25
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPB25N06S3-25

品牌: Infineon 英飞凌

封装: D2PAK N-CH 55V 25A 1.86nF

当前型号

的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-Transistor

当前型号

型号: IPB260N06N3G

品牌: 英飞凌

封装: D2PAK

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