IPI06N03LA

Infineon(英飞凌) 分立器件

的OptiMOS 2功率三极管 OptiMOS 2 Power-Transistor

N-Channel 25V 50A Tc 83W Tc Through Hole PG-TO262-3

得捷:
MOSFET N-CH 25V 50A TO262-3

IPI06N03LA中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 25.0 V

额定电流 50.0 A

极性 N-CH

耗散功率 83W Tc

输入电容 2.65 nF

栅电荷 22.0 nC

漏源极电压Vds 25 V

连续漏极电流Ids 50.0 A

输入电容Ciss 2653pF @15VVds

耗散功率Max 83W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPI06N03LA引脚图与封装图

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