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IPI03N03LA

IPI03N03LA

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

的OptiMOS 2功率三极管 OptiMOS 2 Power-Transistor

通孔 N 通道 25 V 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO262-3


得捷:
MOSFET N-CH 25V 80A TO262-3


贸泽:
MOSFET N-Ch 25V 80A I2PAK-3


IPI03N03LA中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 25.0 V

额定电流 80.0 A

极性 N-CH

耗散功率 150 W

输入电容 7.03 nF

栅电荷 57.0 nC

漏源极电压Vds 25 V

连续漏极电流Ids 80.0 A

上升时间 8.5 ns

输入电容Ciss 7027pF @15VVds

下降时间 7.5 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.2 mm

宽度 4.5 mm

高度 9.45 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPI03N03LA引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPI03N03LA Infineon 英飞凌 的OptiMOS 2功率三极管 OptiMOS 2 Power-Transistor 搜索库存
替代型号IPI03N03LA
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPI03N03LA

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-262-3 N-CH 25V 80A 7.03nF

当前型号

的OptiMOS 2功率三极管 OptiMOS 2 Power-Transistor

当前型号

型号: IPP03N03LA

品牌: 英飞凌

封装: TO-220-3 N-CH 25V 80A

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