IPB11N03LA G
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPB11N03LA G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 25.0 V
额定电流 30.0 A
耗散功率 52W Tc
输入电容 1.36 nF
栅电荷 11.0 nC
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 30.0 A
输入电容Ciss 1358pF @15VVds
耗散功率Max 52W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3-2
外形尺寸
封装 TO-263-3-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IPB11N03LA G引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| IPB11N03LA G | Infineon 英飞凌 | MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK | 搜索库存 |