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IPI45N06S3-16

IPI45N06S3-16

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-Transistor

N-Channel 55V 45A Tc 65W Tc Through Hole PG-TO262-3


得捷:
MOSFET N-CH 55V 45A TO262-3


贸泽:
MOSFET N-Ch 55V 45A I2PAK-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 45A Automotive 3-Pin3+Tab TO-262


IPI45N06S3-16中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 55.0 V

额定电流 45.0 A

通道数 1

漏源极电阻 15.7 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 65 W

输入电容 2.98 nF

栅电荷 57.0 nC

漏源极电压Vds 55 V

漏源击穿电压 55 V

连续漏极电流Ids 45.0 A

上升时间 61 ns

输入电容Ciss 2980pF @25VVds

下降时间 68 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 65W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.2 mm

宽度 4.5 mm

高度 9.45 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPI45N06S3-16引脚图与封装图
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