IPD13N03LA G
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
额定电压DC 25.0 V
额定电流 30.0 A
通道数 1
漏源极电阻 21.9 mΩ
耗散功率 46 W
漏源极电压Vds 25 V
漏源击穿电压 25 V
上升时间 4.6 ns
输入电容Ciss 1043pF @15VVds
额定功率Max 46 W
下降时间 2.6 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 46W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IPD13N03LA G | Infineon 英飞凌 | MOSFET N-CH 25V 30A DPAK | 搜索库存 |