IRF3710ZGPBF

Infineon(英飞凌) 分立器件

TO-220AB N-CH 100V 59A

N-Channel 100V 59A Tc 160W Tc Through Hole TO-220AB

得捷:
MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB

贸泽:
MOSFET 100V HALOGEN-FREE 1 N-CH HEXFET

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin3+Tab TO-220AB

Win Source:
MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB

IRF3710ZGPBF中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 160 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 59A

上升时间 77 ns

输入电容Ciss 2900pF @25VVds

下降时间 56 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 160W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 15.65 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRF3710ZGPBF引脚图与封装图

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