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IPD06N03LA G

IPD06N03LA G

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

表面贴装型 N 通道 25 V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3


得捷:
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3


贸泽:
MOSFET N-Ch 25V 50A DPAK-2


Win Source:
MOSFET N-CH 25V 50A DPAK


IPD06N03LA G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 25.0 V

额定电流 50.0 A

耗散功率 83 W

漏源极电压Vds 25 V

上升时间 7.2 ns

输入电容Ciss 2653pF @15VVds

额定功率Max 83 W

下降时间 4.6 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 83W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPD06N03LA G引脚图与封装图
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