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IPB06N03LB

IPB06N03LB

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor

表面贴装型 N 通道 50A(Tc) 83W(Tc) D²PAK(TO-263AB)


得捷:
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK


IPB06N03LB中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 50.0 A

极性 N-CH

耗散功率 83W Tc

输入电容 2.78 nF

栅电荷 22.0 nC

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 50.0 A

输入电容Ciss 2782pF @15VVds

耗散功率Max 83W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

IPB06N03LB引脚图与封装图
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