IPB05N03LB
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPB05N03LB中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 80.0 A
极性 N-CH
耗散功率 94W Tc
输入电容 3.21 nF
栅电荷 25.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
输入电容Ciss 3209pF @15VVds
耗散功率Max 94W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3-2
外形尺寸
封装 TO-263-3-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IPB05N03LB引脚图与封装图
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在线购买IPB05N03LB
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPB05N03LB | Infineon 英飞凌 | OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor | 搜索库存 |
替代型号IPB05N03LB
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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