IRF3610STRLPBF
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
极性 N-CH
耗散功率 333 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 103A
上升时间 55 ns
输入电容Ciss 5380pF @25VVds
下降时间 43 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 333W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRF3610STRLPBF | Infineon 英飞凌 | Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET IRF3610STRLPBF, 103 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRF3610STRLPBF 品牌: Infineon 英飞凌 封装: D2PAK N-CH 100V 103A | 当前型号 | Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET IRF3610STRLPBF, 103 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装 | 当前型号 |