IPB04N03LB G
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPB04N03LB G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 25.0 V
额定电流 80.0 A
耗散功率 107W Tc
输入电容 3.88 nF
栅电荷 32.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
输入电容Ciss 5203pF @15VVds
耗散功率Max 107W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IPB04N03LB G引脚图与封装图
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在线购买IPB04N03LB G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPB04N03LB G | Infineon 英飞凌 | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | 搜索库存 |
替代型号IPB04N03LB G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPB04N03LB G 品牌： Infineon 英飞凌 封装： D²Pak 25V 80A 3.88nF | 当前型号 | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | 当前型号 |
| 型号： IPB042N03L G 品牌： 英飞凌 封装： TO-263 N-Channel | 类似代替 | INFINEON IPB042N03L G 晶体管, MOSFET, N沟道, 70 A, 30 V, 3.5 mohm, 10 V, 1 V | IPB04N03LB G和IPB042N03L G的区别 |