IRF8327STR1PBF
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
极性 N-CH
耗散功率 2.2W Ta, 42W Tc
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 14A
上升时间 8.9 ns
输入电容Ciss 1430pF @15VVds
下降时间 5.3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 2.2W Ta, 42W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 Direct-FET
封装 Direct-FET
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRF8327STR1PBF | Infineon 英飞凌 | Direct-FET N-CH 30V 14A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRF8327STR1PBF 品牌: Infineon 英飞凌 封装: Direct-FET N-CH 30V 14A | 当前型号 | Direct-FET N-CH 30V 14A | 当前型号 | |
型号: IRF8327STRPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-CH 30V 14A | 类似代替 | Direct-FET N-CH 30V 14A | IRF8327STR1PBF和IRF8327STRPBF的区别 |