IRFR1018ETRRPBF
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRFR1018ETRRPBF中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 110W Tc
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 79A
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 2290pF @50VVds
下降时间 46 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 110W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
IRFR1018ETRRPBF引脚图与封装图
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在线购买IRFR1018ETRRPBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRFR1018ETRRPBF | Infineon 英飞凌 | DPAK N-CH 60V 79A | 搜索库存 |
替代型号IRFR1018ETRRPBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRFR1018ETRRPBF 品牌： Infineon 英飞凌 封装： DPAK N-CH 60V 79A | 当前型号 | DPAK N-CH 60V 79A | 当前型号 |
| 型号： IRFR1018EPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 60V 79A | 类似代替 | INFINEON IRFR1018EPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 56 A, 60 V, 7.1 mohm, 20 V, 4 V | IRFR1018ETRRPBF和IRFR1018EPBF的区别 |
| 型号： IRFR1018ETRPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 60V 79A | 类似代替 | HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。 | IRFR1018ETRRPBF和IRFR1018ETRPBF的区别 |