IPD04N03LA G
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
额定电压DC 25.0 V
额定电流 50.0 A
耗散功率 115W Tc
漏源极电压Vds 25 V
输入电容Ciss 5199pF @15VVds
额定功率Max 115 W
耗散功率Max 115W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IPD04N03LA G | Infineon 英飞凌 | MOSFET N-CH 25V 50A DPAK | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IPD04N03LA G 品牌: Infineon 英飞凌 封装: DPak | 当前型号 | MOSFET N-CH 25V 50A DPAK | 当前型号 | |
型号: IPD040N03LGATMA1 品牌: 英飞凌 封装: TO-252-3 N-Channel 30V 90A | 功能相似 | Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD040N03LGATMA1, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK TO-252封装 | IPD04N03LA G和IPD040N03LGATMA1的区别 |