IPB05N03LA G
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPB05N03LA G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 25.0 V
额定电流 80.0 A
耗散功率 94W Tc
输入电容 3.11 nF
栅电荷 25.0 nC
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
输入电容Ciss 3110pF @15VVds
耗散功率Max 94W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3-2
外形尺寸
封装 TO-263-3-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IPB05N03LA G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IPB05N03LA G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPB05N03LA G | Infineon 英飞凌 | MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK | 搜索库存 |
替代型号IPB05N03LA G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPB05N03LA G 品牌： Infineon 英飞凌 封装： D²Pak 25V 80A 3.11nF | 当前型号 | MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK | 当前型号 |
| 型号： IPB055N03LGATMA1 品牌： 英飞凌 封装： TO-263-3 N-Channel 30V 50A | 功能相似 | Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB055N03LGATMA1, 50 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装 | IPB05N03LA G和IPB055N03LGATMA1的区别 |