IPD05N03LB G
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPD05N03LB G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 90.0 A
耗散功率 94W Tc
输入电容 3.20 nF
栅电荷 25.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 90.0 A
输入电容Ciss 3200pF @15VVds
额定功率Max 94 W
耗散功率Max 94W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IPD05N03LB G引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| IPD05N03LB G | Infineon 英飞凌 | MOSFET N-CH 30V 90A DPAK | 搜索库存 |