IRF7805QTRPBF
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRF7805QTRPBF中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 13A
耗散功率Max 2.5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SO-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SO-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRF7805QTRPBF引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IRF7805QTRPBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF7805QTRPBF | Infineon 英飞凌 | SOIC N-CH 30V 13A | 搜索库存 |
替代型号IRF7805QTRPBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF7805QTRPBF 品牌： Infineon 英飞凌 封装： SOIC N-CH 30V 13A | 当前型号 | SOIC N-CH 30V 13A | 当前型号 |
| 型号： IRF7805PBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 30V 13A | 功能相似 | INFINEON IRF7805PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 30 V, 11 mohm, 4.5 V, 3 V | IRF7805QTRPBF和IRF7805PBF的区别 |