IRF6645
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRF6645中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 3 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 5.7A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 890pF @25VVds
下降时间 5.1 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 3W Ta, 42W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 7
封装 Direct-FET
外形尺寸
长度 4.85 mm
宽度 3.95 mm
高度 0.7 mm
封装 Direct-FET
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs, Load Switch High Side, Isolated Primary Side MOSFETs, Class D Audio, Battery Operated Drive
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRF6645引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IRF6645
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF6645 品牌： Infineon 英飞凌 封装： Direct-FET N-CH 100V 5.7A | 当前型号 | Direct-FET N-CH 100V 5.7A | 当前型号 |
| 型号： IRF6645TRPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-CH 100V 5.7A | 类似代替 | 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 | IRF6645和IRF6645TRPBF的区别 |
| 型号： IRF6645PBF 品牌： 英飞凌 封装： | 类似代替 | Direct-FET N-CH 100V 5.7A | IRF6645和IRF6645PBF的区别 |