IRF6794MTRPBF
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRF6794MTRPBF中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 2.8W Ta, 100W Tc
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 32A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 4420pF @13VVds
额定功率Max 2.8 W
下降时间 9.6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 2.8W Ta, 100W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 7
封装 Direct-FET
外形尺寸
封装 Direct-FET
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRF6794MTRPBF引脚图与封装图
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在线购买IRF6794MTRPBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF6794MTRPBF | Infineon 英飞凌 | Direct-FET N-CH 25V 32A | 搜索库存 |
替代型号IRF6794MTRPBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF6794MTRPBF 品牌： Infineon 英飞凌 封装： DirectFET N-CH 25V 32A | 当前型号 | Direct-FET N-CH 25V 32A | 当前型号 |
| 型号： IRF6794MTR1PBF 品牌： 英飞凌 封装： DirectFET-MX N-CH 25V 32A | 功能相似 | Direct-FET N-CH 25V 32A | IRF6794MTRPBF和IRF6794MTR1PBF的区别 |