IRF6722STRPBF

Infineon(英飞凌) 分立器件

Direct-FET N-CH 30V 13A

表面贴装型 N 通道 30 V 13A（Ta），58A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET™ ST

得捷:
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 7-Pin Direct-FET ST T/R

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 58A; 42W; DirectFET; HEXFET®

IRF6722STRPBF中文资料参数规格

技术参数

额定功率 42 W

极性 N-Channel

耗散功率 2.2W Ta, 42W Tc

产品系列 IRF6722S

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 13A

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 1320pF @15VVds

下降时间 5.7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 2.2W Ta, 42W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 7

封装 Direct-FET

外形尺寸

封装 Direct-FET

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRF6722STRPBF引脚图与封装图

暂无图片

在线购买IRF6722STRPBF

型号	制造商	描述	购买
IRF6722STRPBF	Infineon 英飞凌	Direct-FET N-CH 30V 13A	搜索库存