锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IRF7464PBF

IRF7464PBF

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

SOIC N-CH 200V 1.2A

表面贴装型 N 通道 200 V 1.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO


得捷:
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8SO


贸泽:
MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 730mOhms 9.5nC


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-Pin SOIC


IRF7464PBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 1.20 A

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

产品系列 IRF7464

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

连续漏极电流Ids 1.20 A

上升时间 9.5 ns

输入电容Ciss 280pF @25VVds

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.75 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRF7464PBF引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IRF7464PBF
型号 制造商 描述 购买
IRF7464PBF Infineon 英飞凌 SOIC N-CH 200V 1.2A 搜索库存