锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IRF520NSTRRPBF

IRF520NSTRRPBF

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

D2PAK N-CH 100V 9.7A

表面贴装型 N 通道 100V 9.7A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) D2PAK


得捷:
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


IRF520NSTRRPBF中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 3.8W Ta, 48W Tc

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 9.7A

上升时间 23 ns

输入电容Ciss 330pF @25VVds

下降时间 23 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.8W Ta, 48W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

IRF520NSTRRPBF引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IRF520NSTRRPBF
型号 制造商 描述 购买
IRF520NSTRRPBF Infineon 英飞凌 D2PAK N-CH 100V 9.7A 搜索库存
替代型号IRF520NSTRRPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRF520NSTRRPBF

品牌: Infineon 英飞凌

封装: D2PAK N-CH 100V 9.7A

当前型号

D2PAK N-CH 100V 9.7A

当前型号

型号: IRF520NSTRLPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 100V 9.7A

类似代替

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

IRF520NSTRRPBF和IRF520NSTRLPBF的区别

型号: IRF520NSPBF

品牌: 英飞凌

封装: TO-263 N-CH 100V 9.7A

类似代替

INFINEON  IRF520NSPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 9.7 A, 100 V, 200 mohm, 10 V, 4 V

IRF520NSTRRPBF和IRF520NSPBF的区别