IRF7832ZTR
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRF7832ZTR中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 2.5W Ta
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 21A
输入电容Ciss 3860pF @15VVds
耗散功率Max 2.5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准
含铅标准
IRF7832ZTR引脚图与封装图
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