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IRL3502STRRPBF

IRL3502STRRPBF

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

D2PAK N-CH 20V 110A

表面贴装型 N 通道 20 V 110A(Tc) 140W(Tc) D2PAK


得捷:
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK


贸泽:
MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 73.3nC


IRL3502STRRPBF中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 140 W

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 110A

上升时间 140 ns

输入电容Ciss 4700pF @15VVds

下降时间 130 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 140W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRL3502STRRPBF引脚图与封装图
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