IRF6638TR1PBF
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRF6638TR1PBF中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 25.0 A
额定功率 89 W
极性 N-Channel
耗散功率 2.8W Ta, 89W Tc
产品系列 IRF6638
输入电容 3.77 nF
栅电荷 45.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 20.0 A
上升时间 45 ns
输入电容Ciss 3770pF @15VVds
额定功率Max 2.8 W
下降时间 6.2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 2.8W Ta, 89W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 7
封装 Direct-FET
外形尺寸
封装 Direct-FET
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRF6638TR1PBF引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IRF6638TR1PBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF6638TR1PBF | Infineon 英飞凌 | Direct-FET N-CH 30V 25A | 搜索库存 |