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IRF7477TRPBF

IRF7477TRPBF

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

SOIC N-CH 30V 14A

N-Channel 30V 14A Ta 2.5W Ta Surface Mount 8-SO


得捷:
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC


IRF7477TRPBF中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2.5W Ta

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 14A

输入电容Ciss 2710pF @15VVds

额定功率Max 2.5 W

耗散功率Max 2.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRF7477TRPBF引脚图与封装图
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IRF7477TRPBF Infineon 英飞凌 SOIC N-CH 30V 14A 搜索库存
替代型号IRF7477TRPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRF7477TRPBF

品牌: Infineon 英飞凌

封装: 8-SOIC N-CH 30V 14A

当前型号

SOIC N-CH 30V 14A

当前型号

型号: BSO040N03MSG

品牌: 英飞凌

封装:

完全替代

的OptiMOS ™ 3 M系列功率MOSFET OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET

IRF7477TRPBF和BSO040N03MSG的区别

型号: FDS6682

品牌: 飞兆/仙童

封装: SOIC N-Channel 30V 14A 5.7mohms 2.31nF

功能相似

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型号: FDS8690

品牌: 飞兆/仙童

封装: SO N-Channel 30V 14A 6.3mohms

功能相似

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8690  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 0.0063 ohm, 10 V, 1.6 V

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