极性 N-CH
耗散功率 2.5W Ta
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 14A
输入电容Ciss 2710pF @15VVds
额定功率Max 2.5 W
耗散功率Max 2.5W Ta
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRF7477TRPBF | Infineon 英飞凌 | SOIC N-CH 30V 14A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRF7477TRPBF 品牌: Infineon 英飞凌 封装: 8-SOIC N-CH 30V 14A | 当前型号 | SOIC N-CH 30V 14A | 当前型号 | |
型号: BSO040N03MSG 品牌: 英飞凌 封装: | 完全替代 | 的OptiMOS ™ 3 M系列功率MOSFET OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET | IRF7477TRPBF和BSO040N03MSG的区别 | |
型号: FDS6682 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOIC N-Channel 30V 14A 5.7mohms 2.31nF | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6682 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 7.5 mohm, 10 V, 1.7 V | IRF7477TRPBF和FDS6682的区别 | |
型号: FDS8690 品牌: 飞兆/仙童 封装: SO N-Channel 30V 14A 6.3mohms | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8690 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 0.0063 ohm, 10 V, 1.6 V | IRF7477TRPBF和FDS8690的区别 |