IRF6610TRPBF

Infineon(英飞凌) 分立器件

Direct-FET N-CH 20V 15A

N-Channel 20V 15A Ta, 66A Tc 2.2W Ta, 42W Tc Surface Mount DIRECTFET™ SQ

得捷:
MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET

安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 15A 6-Pin Direct-FET SQ T/R

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 15A; 42W; DirectFET

IRF6610TRPBF中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 20.0 V

额定电流 15.0 A

额定功率 42 W

极性 N-Channel

耗散功率 2.2W Ta, 42W Tc

产品系列 IRF6610

输入电容 1.52 nF

栅电荷 17.0 nC

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20.0 V

连续漏极电流Ids 12.0 A

上升时间 51 ns

输入电容Ciss 1520pF @10VVds

下降时间 5.7 ns

耗散功率Max 2.2W Ta, 42W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 Direct-FET

外形尺寸

封装 Direct-FET

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Roll

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRF6610TRPBF引脚图与封装图

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