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IRLR3705Z

IRLR3705Z

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

DPAK N-CH 55V 89A

表面贴装型 N 通道 55 V 42A（Tc） 130W（Tc） D-Pak


得捷:
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK


安富利:
Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications.


IRLR3705Z中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 55.0 V

额定电流 42.0 A

极性 N-CH

耗散功率 130W Tc

产品系列 IRLR3705Z

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 42.0 A

上升时间 150 ns

输入电容Ciss 2900pF @25VVds

耗散功率Max 130W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

IRLR3705Z引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRLR3705Z Infineon 英飞凌 DPAK N-CH 55V 89A 搜索库存
替代型号IRLR3705Z
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： IRLR3705Z

品牌： Infineon 英飞凌

封装： TO-252 N-CH 55V 42A

当前型号

DPAK N-CH 55V 89A

当前型号

型号： IRLR3705ZTRPBF

品牌： 英飞凌

封装： REEL N-Channel 55V 89A

类似代替

INFINEON  IRLR3705ZTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 55 V, 0.0065 ohm, 10 V, 3 V

IRLR3705Z和IRLR3705ZTRPBF的区别

型号： IRLR3705ZPBF

品牌： 英飞凌

封装： REEL N-CH 55V 89A

类似代替

INFINEON  IRLR3705ZPBF.  晶体管, MOSFET, N沟道, 89 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 V

IRLR3705Z和IRLR3705ZPBF的区别

型号： AUIRLR3705Z

品牌： 英飞凌

封装： REEL N-CH 55V 89A

类似代替

N 通道功率 MOSFET，InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

IRLR3705Z和AUIRLR3705Z的区别