极性 N-CH
耗散功率 230W Tc
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 150A
输入电容Ciss 4780pF @25VVds
耗散功率Max 230W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRF1405ZS 品牌: Infineon 英飞凌 封装: D2PAK N-CH 55V 150A | 当前型号 | D2PAK N-CH 55V 150A | 当前型号 | |
型号: IRF1405ZSPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 55V 75A | 类似代替 | INFINEON IRF1405ZSPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 150 A, 55 V, 0.0037 ohm, 10 V, 4 V 新 | IRF1405ZS和IRF1405ZSPBF的区别 | |
型号: AUIRF1405ZS 品牌: 英飞凌 封装: TO-263 N-CH 55V 150A | 类似代替 | INFINEON AUIRF1405ZS 晶体管, MOSFET, N沟道, 150 A, 55 V, 3700 µohm, 10 V, 2 V | IRF1405ZS和AUIRF1405ZS的区别 | |
型号: IRF1405ZSTRLPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-CH 55V 150A | 类似代替 | N沟道 55V 75A | IRF1405ZS和IRF1405ZSTRLPBF的区别 |