IRF6636TR1

Infineon(英飞凌) 分立器件

Direct-FET N-CH 20V 18A

表面贴装型 N 通道 20 V 18A（Ta），81A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET™ ST

得捷:
MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET

贸泽:
MOSFET

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 20V 18A 7-Pin Direct-FET ST T/R

IRF6636TR1中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2.2 W

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 18A

上升时间 19 ns

输入电容Ciss 2420pF @10VVds

下降时间 6.2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 2.2W Ta, 42W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 7

封装 Direct-FET

外形尺寸

长度 4.85 mm

宽度 3.95 mm

高度 0.7 mm

封装 Direct-FET

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

IRF6636TR1引脚图与封装图

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