极性 N-CH
耗散功率 80W Tc
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 51A
输入电容Ciss 1420pF @25VVds
耗散功率Max 80W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRFZ44ZS 品牌: Infineon 英飞凌 封装: D2PAK N-CH 55V 51A | 当前型号 | D2PAK N-CH 55V 51A | 当前型号 | |
型号: IRFZ44ZSPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 55V 51A | 类似代替 | INFINEON IRFZ44ZSPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 51 A, 55 V, 13.9 mohm, 10 V, 4 V | IRFZ44ZS和IRFZ44ZSPBF的区别 | |
型号: RFD14N06LSM 品牌: 英特矽尔 封装: | 功能相似 | 14A , 60V , 0.100欧姆,逻辑电平, N沟道功率MOSFET 14A, 60V, 0.100 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs | IRFZ44ZS和RFD14N06LSM的区别 | |
型号: MTB60N05HDL 品牌: 摩托罗拉 封装: | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 50V 60A 3Pin2+Tab D2PAK Rail | IRFZ44ZS和MTB60N05HDL的区别 |