
额定电压DC 40.0 V
额定电流 75.0 A
漏源极电阻 4.70 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 230W Tc
产品系列 IRL1404ZS
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40.0V min
连续漏极电流Ids 75.0 A
上升时间 180 ns
输入电容Ciss 5080pF @25VVds
耗散功率Max 230W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRL1404ZS 品牌: Infineon 英飞凌 封装: D2PAK N-CH 40V 75A 4.7mΩ | 当前型号 | D2PAK N-CH 40V 200A | 当前型号 | |
型号: IRF4104SPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 40V 120A | 类似代替 | INFINEON IRF4104SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 40 V, 5.5 mohm, 10 V, 4 V | IRL1404ZS和IRF4104SPBF的区别 | |
型号: IRL1404ZSPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 40V 200A | 类似代替 | N 通道功率 MOSFET 超过 100A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。 | IRL1404ZS和IRL1404ZSPBF的区别 | |
型号: IRL1404ZSTRLPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 40V 200A | 类似代替 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 40 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2.7 V | IRL1404ZS和IRL1404ZSTRLPBF的区别 |