IRF7451TR
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRF7451TR中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 2.5W Ta
漏源极电压Vds 150 V
连续漏极电流Ids 3.6A
输入电容Ciss 990pF @25VVds
耗散功率Max 2.5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRF7451TR引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IRF7451TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF7451TR 品牌： Infineon 英飞凌 封装： SOIC N-CH 150V 3.6A | 当前型号 | SOIC N-CH 150V 3.6A | 当前型号 |
| 型号： IRF7451PBF 品牌： 英飞凌 封装： SOIC N-CH 150V 3.6A | 完全替代 | SOIC N-CH 150V 3.6A | IRF7451TR和IRF7451PBF的区别 |
| 型号： IRF7451TRPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 150V 3.6A | 类似代替 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 150 V, 0.09 ohm, 10 V, 5.5 V | IRF7451TR和IRF7451TRPBF的区别 |
| 型号： IRF7451 品牌： 英飞凌 封装： SOIC N-CH 150V 3.6A | 类似代替 | SOIC N-CH 150V 3.6A | IRF7451TR和IRF7451的区别 |