IRF7807VD2
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRF7807VD2中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 8.30 A
极性 N-Channel
耗散功率 2.5W Ta
产品系列 IRF7807VD2
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 8.30 A
上升时间 1.20 ns
耗散功率Max 2.5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRF7807VD2引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF7807VD2 | Infineon 英飞凌 | SOIC N-CH 30V 8.3A | 搜索库存 |